Nikon G线光刻机

• Nikon G线光刻机利用436nm光源进行曝光，主要用于半导体制造过程中的图形转移。广泛应用于化合物半导体、MEMS（微电机系统）、LED（发光二极管）等生产领域。支持多种晶圆尺寸的生产，包括但不限于2寸、4寸、6寸晶圆生产线。这些设备能够满足不同规模生产的需求，为半导体制造商提供灵活的解决方案。

Nikon I线光刻机

• Nikon I线光刻机采用365nm波长的光源，是半导体制造中用于精细图形转移的关键设备，主要机型包括NSR系列（步进投影式）与SF系列（扫描式），支持多种晶圆尺寸，在2寸、4寸、6寸、8寸及12寸晶圆片的生产上均有着广泛的应用，这使得它们可以服务于不同规模的半导体生产线，满足多样化的生产需求。

Nikon KrF光刻机

• Nikon KrF光刻机使用248nm波长的KrF准分子激光作为曝光光源，适用于更精细的半导体制程，广泛应用于制造高性能的半导体器件，包括微处理器、动态随机存取存储器（DRAM）、以及复杂的逻辑和混合信号芯片等。这些光刻机是实现高精度半导体器件制造的关键设备，在4寸、6寸、8寸和12寸晶圆生产线中发挥着重要作用，为半导体制造商提供了灵活性和高效的生产能力。

Nikon ArF光刻机

• Nikon ArF光刻机利用193nm波长的ArF准分子激光进行曝光，适用于先进的半导体制造工艺，能够支持当前主流的12寸晶圆生产，同时也适应8寸晶圆的生产，可实现更小的特征尺寸，对于提升芯片性能和集成度起到了至关重要的作用，为半导体生产商提供了高精度与高生产效率的解决方案。

Canon I线光刻机

• Canon I线光刻机使用365nm波长的光源进行曝光，是实现微米级半导体器件制造的关键设备，具备更为优异的对准精度，尤其在4寸、6寸、8寸及12寸晶圆片的生产上有着广泛的应用。

Canon KrF光刻机

• Canon KrF光刻机使用248nm波长的KrF准分子激光作为曝光光源，适用于更精细的半导体制程，广泛应用于制造高性能的半导体器件，具备更为优异的对准精度，在4寸、6寸、8寸和12寸晶圆生产线中发挥着重要作用，为半导体制造商提供了灵活性和高效的生产能力。