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Nikon KrF光刻机
Nikon KrF光刻机使用248nm波长的KrF准分子激光作为曝光光源,适用于更精细的半导体制程,广泛应用于制造高性能的半导体器件,包括微处理器、动态随机存取存储器(DRAM)、以及复杂的逻辑和混合信号芯片等。这些光刻机是实现高精度半导体器件制造的关键设备,在4寸、6寸、8寸和12寸晶圆生产线中发挥着重要作用,为半导体制造商提供了灵活性和高效的生产能力。
产品详情
主要机型及参数
型号 类型 分辨率
(μm)
N.A. 倍率 最大视场
(mm)
套刻精度
(nm)
EX12B 步进式 0.28 0.55 5:1 22*22 LSA: 55
FIA: 65
EX14C 0.25 0.60 5:1 22*22 LSA: 55
FIA: 65
S203B 扫描式 0.20 0.68 4:1 25*33 LSA: 45
FIA: 50
S204B 0.20 0.68 4:1 25*33 LSA: 40
FIA: 45
S205C 0.15 0.75 4:1 25*33 LSA: 35
FIA: 40
S206D 0.13 0.82 4:1 25*33 20
S207D 0.11 0.82 4:1 26*33 20
S208D 0.11 0.82 4:1 26*33 15