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Canon KrF光刻机
Canon KrF光刻机使用248nm波长的KrF准分子激光作为曝光光源，适用于更精细的半导体制程，广泛应用于制造高性能的半导体器件，具备更为优异的对准精度，在4寸、6寸、8寸和12寸晶圆生产线中发挥着重要作用，为半导体制造商提供了灵活性和高效的生产能力。
产品详情
| 主要机型及参数 | ||||||
| 型号 | 类型 | 分辨率 （μm） |
N.A. | 倍率 | 最大视场 （mm） |
套刻精度 （nm） |
| FPA-3000 EX4 | 步进式 | 0.25 | 0.40~0.60 | 5::1 | 22*22 | 60 |
| FPA-3000 EX6 | 0.18 | 0.50~0.65 | 5:1 | 22*22 | 35 | |
| FPA-5000 ES3 | 0.18 | 0.60~0.73 | 4:1 | 26*33 | 35 | |
| FPA-5000 ES4 | 0.18 | 0.50~0.80 | 4:1 | 26*33 | 25 | |