晶圆尺寸

100~200mm支持双尺寸混跑

产量

≤120wph

晶圆厚度

400~1000μm

基板

Si、SiC、GaAs、GaN、GaP、Glass、Sapphire等

工艺模组

涂胶/显影：4C/4D/2C2D（可根据客户需求自由组合）

冷/热板：低温热板，高温热板，增粘热板

边缘曝光：可选配WEE功能

系统与通讯：

• Windows平台操作系统，系统实时镜像+手动备份
• 设备控制系统采用IPC+PLC控制架构，实现灵活调度和配方编辑等功能
• 设备支持标准SEC/GEM通讯，支持工厂设备自动化功能

ROBOT：高稳定性双手臂

结构与配置：

• 星型布局结构
• 配置视觉监控以及维修照明灯
• Load port支持开放式Cassette/ SMIF/ FOUP
• 设备配置各种安全互锁功能（门开关、漏液、液位等）
• 滴胶喷头最大4ea/unit，显影喷头最大2ea/unit

Spin Arm：Sharm Arm（节省Resist Pump数量）or Individual Arm

技术参数

温度控制：

• 药液温度，TCU独立控温21.0℃~25.0℃，≤±0.1℃
• 冷板帕尔贴控温或TCU独立控温21.0℃~25.0℃，≤±0.1℃
• 各热板精度可对标国外同类型热板

低温热板50-200℃：

• 50-120℃，R≤±0.3℃；
• 120.1-150℃，R≤±0.5℃；
• 150.1-180℃，R≤±0.7℃

高温热板50-350℃：

• 50-120℃，R≤±0.75℃；
• 120.1-150℃，R≤±1℃；
• 150.1-200℃，R≤±1.5℃；
• 200.1-300℃，R≤±2℃；
• 300.1-350℃，R≤±3℃

THK Uniformity：≤±1%（粘度≤10CP，THK≤1μm）

显影均匀性≤±3%

外形要素

1600（W）*1750（D）*2200（H）（单位：mm）